Texas Instruments NexFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 20 A 2.9 W, 6-Pin WSON
- RS Best.-Nr.:
- 208-8488
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD25310Q2
- Marke:
- Texas Instruments
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*
CHF.630.00
Nur noch Restbestände
- Letzte 21’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 + | CHF.0.21 | CHF.617.40 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 208-8488
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD25310Q2
- Marke:
- Texas Instruments
Technische Daten
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Texas Instruments | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Gehäusegröße | WSON | |
| Serie | NexFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.39mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.9W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 8 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.7mm | |
| Breite | 2 mm | |
| Länge | 2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Texas Instruments | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Gehäusegröße WSON | ||
Serie NexFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.39mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.9W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 8 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.7nC | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.7mm | ||
Breite 2 mm | ||
Länge 2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
-
-
Verwandte Links
- Texas Instruments NexFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 20 A 2.9 W, 6-Pin WSON
- Texas Instruments NexFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 104 A 96 W, 8-Pin VSON
- Texas Instruments NexFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 76 A 69 W, 8-Pin VSONP
- Texas Instruments Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -12 V / 2.9 A 1.9 W PICOSTAR
- Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 75 A 3.1 W, 8-Pin SON
- Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 100 A 3.1 W, 8-Pin SON
- Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 3.2 W, 8-Pin SON
- Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 204 A 3.2 W, 8-Pin VSON