Texas Instruments NexFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 20 A 2.9 W, 6-Pin WSON

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen

Zwischensumme (1 Rolle mit 3000 Stück)*

CHF.630.00

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 21’000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Rolle*
3000 +CHF.0.21CHF.617.40

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
208-8488
Herst. Teile-Nr.:
CSD25310Q2
Marke:
Texas Instruments
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Texas Instruments

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ P

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

20A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

WSON

Serie

NexFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2.39mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Durchlassspannung Vf

1V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

4.7nC

Maximale Verlustleistung Pd

2.9W

Gate-Source-spannung max Vgs

8 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

2mm

Höhe

0.7mm

Breite

2 mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

-

-

Verwandte Links