Texas Instruments NexFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 20 A 2.9 W, 6-Pin WSON
- RS Best.-Nr.:
- 208-8488
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD25310Q2
- Marke:
- Texas Instruments
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
- RS Best.-Nr.:
- 208-8488
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD25310Q2
- Marke:
- Texas Instruments
Technische Daten
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Texas Instruments | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | NexFET | |
| Gehäusegröße | WSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.39mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.9W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 2mm | |
| Höhe | 0.7mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Texas Instruments | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie NexFET | ||
Gehäusegröße WSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.39mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.9W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.7nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 2mm | ||
Höhe 0.7mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
-
-
Verwandte Links
- Texas Instruments NexFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 20 A 2.9 W, 6-Pin WSON
- Texas Instruments NexFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 104 A 96 W, 8-Pin VSON
- Texas Instruments NexFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 76 A 69 W, 8-Pin VSONP
- Texas Instruments Einfach NexFET Typ N, Typ N-Kanal 1, Durchsteckmontage, Durchsteckmontage MOSFET 100 V Erweiterung /
- Texas Instruments Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -12 V / 2.9 A 1.9 W PICOSTAR
- Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 75 A 3.1 W, 8-Pin SON
- Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 25 V / 5 A 2.3 W, 6-Pin SON
- Texas Instruments NexFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 100 A 3.2 W, 8-Pin SON