Texas Instruments NexFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 20 A 2.9 W, 6-Pin WSON
- RS Best.-Nr.:
- 208-8489
- Herst. Teile-Nr.:
- CSD25310Q2
- Marke:
- Texas Instruments
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- RS Best.-Nr.:
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- CSD25310Q2
- Marke:
- Texas Instruments
Technische Daten
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Texas Instruments | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 20A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | NexFET | |
| Gehäusegröße | WSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2.39mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2.9W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 0.7mm | |
| Länge | 2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Texas Instruments | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 20A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie NexFET | ||
Gehäusegröße WSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2.39mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2.9W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 4.7nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 0.7mm | ||
Länge 2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
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