Vishay E Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 800 V / 7 A 34 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 210-4961
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHA17N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.8.14
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | CHF.1.628 | CHF.8.12 |
| 50 - 120 | CHF.1.46 | CHF.7.31 |
| 125 - 245 | CHF.1.166 | CHF.5.85 |
| 250 - 495 | CHF.0.977 | CHF.4.86 |
| 500 + | CHF.0.84 | CHF.4.22 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 210-4961
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHA17N80AE-GE3
- Marke:
- Vishay
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 800V | |
| Serie | E | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 250mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 62nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 34W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 4.3mm | |
| Breite | 9.7 mm | |
| Länge | 28.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 800V | ||
Serie E | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 250mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 62nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 34W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 4.3mm | ||
Breite 9.7 mm | ||
Länge 28.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Leistungs-MOSFET der Vishay E-Serie verfügt über ein Thin-Lead TO-220 FULLPAK-Gehäuse mit 7 A Ableitstrom.
Niedriger Gütefaktor (FOM) Ron x Qg
Niedrige effektive Kapazität (Co(er))
Verringerte Schalt- und Steuerungsverluste
Lawinenenergie (UIS)
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