STMicroelectronics SCT1000N170 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1700 V / 7 A 96 W, 3-Pin Hip-247
- RS Best.-Nr.:
- 212-2091
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT1000N170
- Marke:
- STMicroelectronics
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*
CHF.313.74
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 + | CHF.10.458 | CHF.313.84 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 212-2091
- Herst. Teile-Nr.:
- SCT1000N170
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 7A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 1700V | |
| Gehäusegröße | Hip-247 | |
| Serie | SCT1000N170 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.66Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 13.3nC | |
| Durchlassspannung Vf | 4.5V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 96W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 22 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 200°C | |
| Höhe | 5.15mm | |
| Breite | 20.15 mm | |
| Länge | 15.75mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 7A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 1700V | ||
Gehäusegröße Hip-247 | ||
Serie SCT1000N170 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.66Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13.3nC | ||
Durchlassspannung Vf 4.5V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 96W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 22 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 200°C | ||
Höhe 5.15mm | ||
Breite 20.15 mm | ||
Länge 15.75mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
SiC MOSFET
Der STMicroelectronics Siliziumkarbid Leistungs-MOSFET wird unter Ausnutzung der Advanced, innovativen Eigenschaften von Materialien mit großem Bandspalt hergestellt. Dies führt zu einem unübertroffenen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Gerätebereich und einer sehr guten Schaltleistung, die nahezu unabhängig von der Temperatur ist. Die hervorragenden thermischen Eigenschaften des SiC-Materials in Kombination mit dem Gehäuse des Geräts im proprietären HiP247-Gehäuse ermöglichen es Entwicklern, einen Industriestandard-Umriss mit deutlich verbesserter Wärmekapazität zu verwenden.
Hohe Schaltleistung
Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode
Geringe Kapazitäten
Verwandte Links
- STMicroelectronics SCT1000N170 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1700 V / 7 A 96 W, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal 1 MOSFET Erweiterung, 4-Pin Hip-247-4
- STMicroelectronics Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 45 A 270 W, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCTWA40N12G24AG Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 33 A 290 W, 4-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 40 A 312 W, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 56 A 388 W, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCTW90 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 650 V / 119 A 565 W, 3-Pin Hip-247
- STMicroelectronics SCT Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 1200 V / 60 A 389 W, 3-Pin Hip-247