DiodesZetex Doppelt DMTH4008LPDWQ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 40 V Erweiterung / 46.2 A 39.4 W, 8-Pin PowerDI5060

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:
213-9247
Herst. Teile-Nr.:
DMTH4008LPDWQ-13
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

46.2A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

PowerDI5060

Serie

DMTH4008LPDWQ

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.0123Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

39.4W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

5.8nC

Durchlassspannung Vf

0.9V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Breite

6.4mm

Länge

5.15mm

Höhe

1.1mm

Normen/Zulassungen

RoHS, MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020, UL 94V-0

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

AEC-Q101, AEC-Q200, AEC-Q100

Die DiodesZetex DMTH4008LPDWQ-Serie ist ein zweifach-N-Kanal-MOSFET, der die strengen Anforderungen von Kfz-Anwendungen erfüllt. Er wird in Stromüberwachungsfunktionen, Motorsteuerung und DC/DC-Wandlern verwendet.

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

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