Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 195 A 96 W, 8-Pin SuperSO
- RS Best.-Nr.:
- 214-4319
- Distrelec-Artikelnummer:
- 304-39-396
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC014N04LSIATMA1
- Marke:
- Infineon
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- BSC014N04LSIATMA1
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 195A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Gehäusegröße | SuperSO | |
| Serie | OptiMOS | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 2mΩ | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 55nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 96W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 0.7V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.1mm | |
| Länge | 5.35mm | |
| Höhe | 1.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 195A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Gehäusegröße SuperSO | ||
Serie OptiMOS | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 2mΩ | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 55nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 96W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 0.7V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.1mm | ||
Länge 5.35mm | ||
Höhe 1.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser Infineon OptiMOS Leistungs-MOSFET ist für synchrone Gleichrichtung optimiert und bietet eine höhere Zuverlässigkeit der Lötverbindung durch eine erweiterte Quellenverbindung.
Es ist halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
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