Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 80 V / 49 A 50 W, 8-Pin SuperSO

Dieser MOSFET ist ein oberflächenmontierter N-Kanal-Leistungstransistor, der für Hochstromschaltungen in kompakten elektronischen Baugruppen entwickelt wurde. Er funktioniert in einem breiten Umgebungsbereich und eignet sich für Anwendungen, die eine effiziente Leitfähigkeit und ein schnelles Schaltverhalten erfordern. Das Gerät wird in einem 8-poligen SuperSO-Gehäuse geliefert und ist für Anwendungen vorgesehen, bei denen ein geringer Einschaltwiderstand und eine erhebliche Ablassstromkapazität erforderlich sind.

• 11,7 mΩ Rds(on) für reduzierte Leitungsverluste
• 49 A kontinuierlicher Ablassstrom für die Handhabung schwerer Lasten
• 80 V Drain-Source-Nennleistung für Hochspannungsschaltung
• 15 nC Gate-Ladung für reaktionsschnelle Schaltsteuerung
• Maximale Verlustleistung von 50 W für robuste thermische Leistung

• Geeignet für hocheffiziente Stromversorgungen in der Elektronik
• Ideal für DC/DC-Wandler und synchrone Gleichrichtung
• Einsatz mit Motorsteuerungen, die eine hohe Strombelastbarkeit erfordern
• Kann für die Telekommunikations- und Server-Stromverteilung verwendet werden
• Geeignet für kompakte, oberflächenmontierte Baugruppen mit hoher Dichte

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und eignet sich für raue thermische Bedingungen.

Das achtpolige SuperSO-Layout und die flache Bauhöhe von 1,2 mm ermöglichen eine dichte Platzierung der Komponenten und eine Routing mit niedriger Induktivität.

Das Gerät weist unter den angegebenen Leitungsbedingungen eine Durchlassspannung von 1,1 V auf, was die Berechnung der Leitungsverluste beeinflusst.

Das Gate sollte innerhalb von ±20 V betrieben werden, um eine Überschreitung der maximalen Gate-Source-Nennspannung zu vermeiden.