Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 80 V / 49 A 50 W, 8-Pin SuperSO
- RS Best.-Nr.:
- 214-4328
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC117N08NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | CHF.1.092 | CHF.16.30 |
| 75 - 135 | CHF.1.029 | CHF.15.50 |
| 150 - 360 | CHF.0.987 | CHF.14.85 |
| 375 - 735 | CHF.0.945 | CHF.14.20 |
| 750 + | CHF.0.882 | CHF.13.21 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-4328
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC117N08NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 49A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 80V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Gehäusegröße | SuperSO | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 11.7mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 50W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 6.1 mm | |
| Höhe | 1.2mm | |
| Länge | 5.35mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 49A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 80V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Gehäusegröße SuperSO | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 11.7mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 50W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 6.1 mm | ||
Höhe 1.2mm | ||
Länge 5.35mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser Infineon OptiMOS MOSFET bietet den neuesten R DS(on) eines Trench MOSFET zusammen mit dem großen sicheren Betriebsbereich eines klassischen planaren MOSFET.
Er ist ideal für Hot-Swap- und e-fuse-Anwendungen
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