Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 250 V / 24 A 150 W, 8-Pin SuperSO
- RS Best.-Nr.:
- 217-2483
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC670N25NSFDATMA1
- Marke:
- Infineon
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- 217-2483
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC670N25NSFDATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 24A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 250V | |
| Gehäusegröße | SuperSO | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 67mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 22nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.35mm | |
| Breite | 5.49 mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 24A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 250V | ||
Gehäusegröße SuperSO | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 67mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.35mm | ||
Breite 5.49 mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Infineon OptiMOS TM Fast Diode (FD) 200 V, 250 V und 300 V ist für die harte Kommutierung der Gehäusediode optimiert. Diese Geräte sind die perfekte Wahl für harte Schaltanwendungen wie Telekommunikation, industrielle Netzteile, Audioverstärker der Klasse D, Motorsteuerung und DC/AC-Wechselrichter.
N-Kanal, normale
175 °C ausgelegt
Ausgezeichnete Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM)
Sehr niedriger Einschaltwiderstand RDS(on)
Bleifreie Leitungsbeschichtung
RoHS-konform
Zugelassen gemäß JEDEC1) für Zielanwendung
Halogenfrei gemäß IEC 61249-2-21
Ideal für Hochfrequenzschaltung und synchrone Gleichrichtung
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