Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 87 A 139 W, 8-Pin SuperSO
- RS Best.-Nr.:
- 214-4325
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC093N15NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.2.778 | CHF.13.88 |
| 25 - 45 | CHF.2.495 | CHF.12.49 |
| 50 - 120 | CHF.2.333 | CHF.11.66 |
| 125 - 245 | CHF.2.161 | CHF.10.83 |
| 250 + | CHF.2.03 | CHF.10.13 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-4325
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC093N15NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 87A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | SuperSO | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 9.3mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 139W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 5.35mm | |
| Breite | 6.1 mm | |
| Höhe | 1.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 87A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße SuperSO | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 9.3mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 139W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 5.35mm | ||
Breite 6.1 mm | ||
Höhe 1.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser Infineon OptiMOS MOSFET bietet den neuesten R DS(on) eines Trench MOSFET zusammen mit dem großen sicheren Betriebsbereich eines klassischen planaren MOSFET.
Er ist ideal für Hot-Swap- und e-fuse-Anwendungen
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