Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 195 A 96 W, 8-Pin SuperSO

RS Best.-Nr.:: 214-4318
Herst. Teile-Nr.:: BSC014N04LSIATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 195 A 96 W, 8-Pin SuperSO

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 214-4318
Herst. Teile-Nr.:: BSC014N04LSIATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	195A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Gehäusegröße	SuperSO
	Serie	OptiMOS
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	2mΩ
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	96W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	55nC
	Durchlassspannung Vf	0.7V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	1.2mm
	Länge	5.35mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	6.1mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 195A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Gehäusegröße SuperSO
	Serie OptiMOS
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 2mΩ
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 96W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 55nC
	Durchlassspannung Vf 0.7V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 1.2mm
	Länge 5.35mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 6.1mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - BSC014N04LSIATMA1

Infineon OptiMOS Serie MOSFET, 40 V maximale Drain-Source-Spannung, 195 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSC014N04LSIATMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochstrom-Schalttransistor, der für oberflächenmontierte Leistungsanwendungen entwickelt wurde, bei denen geringe Leitungsverluste und eine robuste thermische Beständigkeit erforderlich sind. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich und eignet sich für anspruchsvolle elektronische Umgebungen, die eine effiziente N-Kanal-Schaltung bei moderaten Drain-Source-Spannungen erfordern.

Merkmale und Vorteile:

• Sehr niedrige Rds(on) von 2 mΩ reduziert Leitungsverluste bei hohem Strom
• Maximaler kontinuierlicher Ablassstrom von 195 A unterstützt schwere Lasten
• Maximale Verlustleistung von 96 W ermöglicht eine dauerhafte Leistungsaufnahme
• Maximale Ablass-Quellenspannung von 40 V ermöglicht den Einsatz in Systemen mit moderater Spannung
• Eine typische Gate-Ladung von 55 nC sorgt für vorhersehbare Schaltenergie
• Maximale Gate-Source-Spannung von 20 V schützt das Gate vor Überladung

Anwendungsbereich

• Geeignet für Gleichspannungswandler in Stromverteilungssystemen
• Ideal für Motorantriebsstufen, die einen hohen Dauerstrom erfordern
• Wird mit Batteriemanagementmodulen verwendet, die einen geringen Leitungsverlust erfordern
• Kann für synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen verwendet werden
• Geeignet für das Schalten von Hochstromlasten auf Leiterplatten

Welche thermischen Extreme kann er im Betrieb tolerieren?

Er ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt und ermöglicht den Einsatz in Umgebungen mit niedrigen und hohen Temperaturen, ohne die Gerätegrenzen zu überschreiten.

Wie unterstützt das Gehäuse die Leiterplattenmontage und -kühlung?

Das Gerät wird in einem 8-poligen SuperSO-Gehäuse für die Oberflächenmontage mit minimaler Montagehöhe geliefert, um kompakte Leiterplatten-Layouts und effiziente Leiterplatten-Leitungs-Kühlwege zu ermöglichen.

Welche Art von Leitkanal verwendet es und wie wirkt sich das auf die Schaltung aus?

Es verwendet eine N-Kanal-Topologie, die einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand für eine effiziente Leitfähigkeit und eine herkömmliche Gate-Drive-Polarität für gängige Treiberschaltungen bietet.

Welche Durchlassspannungsleistung kann während der Leitung erwartet werden?

Die Durchlassspannung beträgt unter bestimmten Bedingungen typischerweise 0,7 V, was zu Berechnungen des Gesamtstromverlusts im Systemdesign beiträgt.