Infineon OptiMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 40 V / 195 A 96 W, 8-Pin SuperSO

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RS Best.-Nr.:
214-4318
Herst. Teile-Nr.:
BSC014N04LSIATMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

195A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Gehäusegröße

SuperSO

Serie

OptiMOS

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

2mΩ

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.7V

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

55nC

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

96W

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

1.2mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5.35mm

Breite

6.1 mm

Automobilstandard

Nein

Dieser Infineon OptiMOS Leistungs-MOSFET ist für synchrone Gleichrichtung optimiert und bietet eine höhere Zuverlässigkeit der Lötverbindung durch eine erweiterte Quellenverbindung.

Es ist halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

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