Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 250 V / 24 A 150 W, 8-Pin SuperSO

RS Best.-Nr.:: 217-2482
Herst. Teile-Nr.:: BSC670N25NSFDATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 250 V / 24 A 150 W, 8-Pin SuperSO

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 217-2482
Herst. Teile-Nr.:: BSC670N25NSFDATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	24A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	250V
	Serie	OptiMOS 3
	Gehäusegröße	SuperSO
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	67mΩ
	Channel-Modus	N
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	22nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Durchlassspannung Vf	1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd	150W
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	6.35mm
	Höhe	1.1mm
	Breite	5.49 mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 24A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 250V
	Serie OptiMOS 3
	Gehäusegröße SuperSO
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 67mΩ
	Channel-Modus N
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 22nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Durchlassspannung Vf 1.2V
	Maximale Verlustleistung Pd 150W
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Normen/Zulassungen No
	Länge 6.35mm
	Höhe 1.1mm
	Breite 5.49 mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - BSC670N25NSFDATMA1

Die Infineon OptiMOS TM Fast Diode (FD) 200 V, 250 V und 300 V ist für die harte Kommutierung der Gehäusediode optimiert. Diese Geräte sind die perfekte Wahl für harte Schaltanwendungen wie Telekommunikation, industrielle Netzteile, Audioverstärker der Klasse D, Motorsteuerung und DC/AC-Wechselrichter.

N-Kanal, normale

175 °C ausgelegt

Ausgezeichnete Gate-Ladung x RDS(on)-Produkt (FOM)

Sehr niedriger Einschaltwiderstand RDS(on)

Bleifreie Leitungsbeschichtung

RoHS-konform

Zugelassen gemäß JEDEC1) für Zielanwendung

Halogenfrei gemäß IEC 61249-2-21

Ideal für Hochfrequenzschaltung und synchrone Gleichrichtung

Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 250 V / 24 A 150 W, 8-Pin SuperSO

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