Infineon OptiMOS 5 N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 56 A 96 W, 8-Pin SuperSO
- RS Best.-Nr.:
- 214-4330
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC160N15NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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- BSC160N15NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 56A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | SuperSO | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 16mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 19nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 96W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 1.2mm | |
| Länge | 5.35mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 6.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 56A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße SuperSO | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 16mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 96W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 1.2mm | ||
Länge 5.35mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 6.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon OptiMOS 5 Serie MOSFET, 150 V maximale Drain-Source-Spannung, 56 A maximaler kontinuierlicher Drain-Strom – BSC160N15NS5ATMA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Leistungstransistor, der für Oberflächenmontageanwendungen entwickelt wurde, bei denen effiziente Schaltvorgänge und hohe Strombelastbarkeit erforderlich sind. Es arbeitet in einem breiten Temperaturbereich, der für anspruchsvolle thermische Umgebungen geeignet ist, und ist für Entwickler gedacht, die ein kompaktes, leistungsstarkes Gerät in einem SuperSO-Gehäuse benötigen.
Merkmale und Vorteile:
• 150 V Ablasswert ermöglicht Hochspannungsschaltfähigkeit
• 16 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste unter Last
• 56 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt Hochstrom-Designs
• 19 nC Gate-Ladung reduziert Antriebsenergie und Schaltverluste
• Die Verlustleistung von 96 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
• 16 mΩ Rds(on) minimiert Leitungsverluste unter Last
• 56 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt Hochstrom-Designs
• 19 nC Gate-Ladung reduziert Antriebsenergie und Schaltverluste
• Die Verlustleistung von 96 W ermöglicht eine dauerhafte thermische Belastung
Anwendungsbereich
• Geeignet für DC/DC-Wandler in Industrieanlagen
• Ideal für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen
• Wird für Motorantriebsstufen verwendet, die einen hohen Strom erfordern
• Kann für Telekommunikations-Stromverteilungsmodule verwendet werden
• Geeignet für Hochspannungsschaltvorgänge in Server-Stromversorgungsschienen
• Ideal für die synchrone Gleichrichtung in Stromversorgungen
• Wird für Motorantriebsstufen verwendet, die einen hohen Strom erfordern
• Kann für Telekommunikations-Stromverteilungsmodule verwendet werden
• Geeignet für Hochspannungsschaltvorgänge in Server-Stromversorgungsschienen
Welchen thermischen Extremen kann er während des Betriebs standhalten?
Es funktioniert zwischen -55 °C und 150 °C und ermöglicht den Einsatz sowohl in Kaltstartumgebungen als auch in Umgebungen mit hohen Temperaturen.
Wie viele Anschlussstifte enthält das Gehäuse?
Das Gehäuse verfügt über acht Pins, um kompakte Schaltungslayouts für die Oberflächenmontage zu ermöglichen.
Welches mechanische Profil sollten Entwickler zulassen?
Das Gerät misst 1,2 mm in der Höhe, 5,35 mm in der Länge und 6,1 mm in der Breite für die Footprint-Planung.
Welche Gate-Spannungsgrenzwerte müssen für einen zuverlässigen Betrieb eingehalten werden?
Das Gerät darf nicht über ±20 V zwischen Gate und Quelle betrieben werden, um Schäden zu vermeiden.
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