Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET N 150 V / 56 A 96 W, 8-Pin SuperSO
- RS Best.-Nr.:
- 214-4330
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC160N15NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 10 - 10 | CHF.1.353 | CHF.13.57 |
| 20 - 40 | CHF.1.293 | CHF.12.91 |
| 50 - 90 | CHF.1.232 | CHF.12.35 |
| 100 - 240 | CHF.1.182 | CHF.11.81 |
| 250 + | CHF.1.101 | CHF.10.99 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-4330
- Herst. Teile-Nr.:
- BSC160N15NS5ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 56A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Gehäusegröße | SuperSO | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 16mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 19nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 96W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Länge | 5.35mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.2mm | |
| Breite | 6.1 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 56A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Gehäusegröße SuperSO | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 16mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 19nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 96W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Länge 5.35mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.2mm | ||
Breite 6.1 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser Infineon OptiMOS MOSFET bietet den neuesten R DS(on) eines Trench MOSFET zusammen mit dem großen sicheren Betriebsbereich eines klassischen planaren MOSFET.
Er ist ideal für Hot-Swap- und e-fuse-Anwendungen
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