Infineon OptiMOS 2 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1.5 A 0.5 W, 6-Pin BSD214SNH6327XTSA1 US
- RS Best.-Nr.:
- 214-4333
- Herst. Teile-Nr.:
- BSD214SNH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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- 214-4333
- Herst. Teile-Nr.:
- BSD214SNH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | OptiMOS 2 | |
| Gehäusegröße | US | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 250mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 12 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.8nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.5W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.35 mm | |
| Höhe | 1mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 2.02mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie OptiMOS 2 | ||
Gehäusegröße US | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 250mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 12 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.8nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.5W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.35 mm | ||
Höhe 1mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 2.02mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon OptiMOS2 Kleinsignal-Transistor ist gemäß AEC Q101 zugelassen.
N-Kanal
Enhancement-Modus
Super Logic-Pegel (2,5 V Nennspannung)
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