Infineon BSD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.4 A 0.5 W, 6-Pin BSD316SNH6327XTSA1 US

RS Best.-Nr.:: 258-0699
Herst. Teile-Nr.:: BSD316SNH6327XTSA1
Marke:: Infineon

Infineon BSD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.4 A 0.5 W, 6-Pin BSD316SNH6327XTSA1 US

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 258-0699
Herst. Teile-Nr.:: BSD316SNH6327XTSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	1.4A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	30V
	Gehäusegröße	US
	Serie	BSD
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	6
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	160mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	0.6nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Verlustleistung Pd	0.5W
	Gate-Source-spannung max Vgs	±20 V
	Durchlassspannung Vf	0.8V
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Länge	2mm
	Breite	1.25 mm
	Normen/Zulassungen	IEC 61249-2-21, RoHS
	Höhe	0.9mm
	Automobilstandard	AEC-Q101

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.4A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 30V
	Gehäusegröße US
	Serie BSD
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 6
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 160mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.6nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Verlustleistung Pd 0.5W
	Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V
	Durchlassspannung Vf 0.8V
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Länge 2mm
	Breite 1.25 mm
	Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS
	Höhe 0.9mm
	Automobilstandard AEC-Q101

Datasheet - BSD316SNH6327XTSA1

Der N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET von Infineon für Automobil- und Industriehersteller bietet ein breites Portfolio von N- und P-Kanal-Kleinsignal-MOSFETs, die die höchsten Qualitätsanforderungen in bekannten Industriestandardgehäusen erfüllen und übertreffen. Mit unvergleichlicher Zuverlässigkeit und Fertigungskapazität sind diese Komponenten ideal für eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich LED-Beleuchtung, ADAS, Gehäuse-Steuereinheiten, SMPS und Motorsteuerung geeignet.

Verstärkungsmodus

Logikpegel

Avalanche-geschützt

Schnelles Schalten

Dv/dt-Nennleistung

Niedriger RDS(on) sorgt für höheren Wirkungsgrad und verlängert die Batterielebensdauer

Kleine Gehäuse sparen Platz auf der Leiterplatte

Best-in-Class-Qualität und Zuverlässigkeit

Infineon BSD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.4 A 0.5 W, 6-Pin BSD316SNH6327XTSA1 US

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