Infineon BSD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 1.4 A 0.5 W, 6-Pin US
- RS Best.-Nr.:
- 258-0698
- Herst. Teile-Nr.:
- BSD316SNH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | CHF.0.053 | CHF.157.50 |
| 6000 - 12000 | CHF.0.053 | CHF.154.35 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 258-0698
- Herst. Teile-Nr.:
- BSD316SNH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 1.4A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | US | |
| Serie | BSD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 160mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.5W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | ±20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Länge | 2mm | |
| Breite | 1.25 mm | |
| Höhe | 0.9mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 1.4A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße US | ||
Serie BSD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 160mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.5W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs ±20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Länge 2mm | ||
Breite 1.25 mm | ||
Höhe 0.9mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der N-Kanal-Kleinsignal-MOSFET von Infineon für Automobil- und Industriehersteller bietet ein breites Portfolio von N- und P-Kanal-Kleinsignal-MOSFETs, die die höchsten Qualitätsanforderungen in bekannten Industriestandardgehäusen erfüllen und übertreffen. Mit unvergleichlicher Zuverlässigkeit und Fertigungskapazität sind diese Komponenten ideal für eine Vielzahl von Anwendungen einschließlich LED-Beleuchtung, ADAS, Gehäuse-Steuereinheiten, SMPS und Motorsteuerung geeignet.
Verstärkungsmodus
Logikpegel
Avalanche-geschützt
Schnelles Schalten
Dv/dt-Nennleistung
Niedriger RDS(on) sorgt für höheren Wirkungsgrad und verlängert die Batterielebensdauer
Kleine Gehäuse sparen Platz auf der Leiterplatte
Best-in-Class-Qualität und Zuverlässigkeit
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