Infineon BSD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / -0.39 A 81 W, 6-Pin US
- RS Best.-Nr.:
- 250-0521
- Herst. Teile-Nr.:
- BSD223PH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Zwischensumme (1 Packung mit 10 Stück)*
CHF.2.00
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.0.20 | CHF.1.96 |
| 100 - 240 | CHF.0.189 | CHF.1.87 |
| 250 - 490 | CHF.0.116 | CHF.1.19 |
| 500 - 990 | CHF.0.095 | CHF.0.99 |
| 1000 + | CHF.0.084 | CHF.0.88 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 250-0521
- Herst. Teile-Nr.:
- BSD223PH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | -0.39A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | BSD | |
| Gehäusegröße | US | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.4mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 81W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id -0.39A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie BSD | ||
Gehäusegröße US | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 81W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die hochinnovativen OptiMOS™-Familien von Infineon umfassen Enhancement-Modus-Mosfets mit Super Logikpegel. Das Produkt ist Avalanche- und dv/dt-getestet. Es bietet schnelles Umschalten. Das Gerät ist Pb-frei und halogenfrei. Vds ist -20 V, Rds(on) ist 1,2 Ω und Id ist -0,39 A.
Konstante Erfüllung der höchsten Qualitäts- und Leistungsanforderungen
Hervorragender Durchlasswiderstand und Leistungskennzahl
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