Infineon BSD Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung -20 V / 0.39 A 0.25 W, 6-Pin US
- RS Best.-Nr.:
- 250-0520
- Herst. Teile-Nr.:
- BSD223PH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | CHF 0.061 | CHF 169.68 |
| 6000 - 12000 | CHF 0.051 | CHF 160.59 |
| 15000 + | CHF 0.051 | CHF 154.53 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 250-0520
- Herst. Teile-Nr.:
- BSD223PH6327XTSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 0.39A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | -20V | |
| Serie | BSD | |
| Gehäusegröße | US | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.20Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 80nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.25W | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 0.39A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. -20V | ||
Serie BSD | ||
Gehäusegröße US | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 6 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.20Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 80nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.25W | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die hochinnovativen OptiMOS™-Familien von Infineon umfassen Enhancement-Modus-Mosfets mit Super Logikpegel. Das Produkt ist Avalanche- und dv/dt-getestet. Es bietet schnelles Umschalten. Das Gerät ist Pb-frei und halogenfrei. Vds ist -20 V, Rds(on) ist 1,2 Ω und Id ist -0,39 A.
Konstante Erfüllung der höchsten Qualitäts- und Leistungsanforderungen
Hervorragender Durchlasswiderstand und Leistungskennzahl
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