Infineon 600V CoolMOS P7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 9 A 41 W, 3-Pin TO-252

RS Best.-Nr.:: 214-4387
Herst. Teile-Nr.:: IPD60R360P7ATMA1
Marke:: Infineon

Infineon 600V CoolMOS P7 N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 9 A 41 W, 3-Pin TO-252

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 214-4387
Herst. Teile-Nr.:: IPD60R360P7ATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	9A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Serie	600V CoolMOS P7
	Gehäusegröße	TO-252
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	360mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	900mV
	Gate-Source-spannung max Vgs	20V
	Maximale Verlustleistung Pd	41W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	13nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Breite	6.42mm
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	6.65mm
	Höhe	2.35mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 9A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Serie 600V CoolMOS P7
	Gehäusegröße TO-252
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 360mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 900mV
	Gate-Source-spannung max Vgs 20V
	Maximale Verlustleistung Pd 41W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 13nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Breite 6.42mm
	Normen/Zulassungen No
	Länge 6.65mm
	Höhe 2.35mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPD60R360P7ATMA1

Infineon 600 V CoolMOS P7 Serie MOSFET, 600 V Drain-Source-Spannung, 9 A kontinuierlicher Drain-Strom – IPD60R360P7ATMA1

Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Schalttransistor, der für oberflächenmontierte Leistungsumwandlungs- und Schaltanwendungen entwickelt wurde. Er arbeitet über einen breiten Temperaturbereich, der für anspruchsvolle Umgebungen geeignet ist, und ist für hohe Drain-Source-Spannungen ausgelegt, während er gleichzeitig ein kontrolliertes Leitungs- und Schaltverhalten in Stromversorgungen und zugehörigen Schaltkreisen gewährleistet.

Merkmale und Vorteile:

• Maximale Drain-Source-Spannung von 600 V ermöglicht Hochspannungsdesigns
• Der kontinuierliche Ablassstrom von 9 A unterstützt eine hohe Belastbarkeit
• 360 mΩ Rds(on) begrenzt Leitungsverluste bei Betriebsströmen
• 13 nC typische Gate-Ladung reduziert Schaltenergie und Belastung
• Maximale Gate-to-Source von 20 V hält robusten Antriebsmargen stand
• Die Verlustleistung von 41 W ermöglicht eine erhebliche thermische Belastung

Anwendungsbereich

• Geeignet für Offline-Schaltnetzteile
• Ideal für Hochspannungs-DC/DC-Wandler
• Wird mit Brücken- und Klemmschalttopologien verwendet
• Kann für industrielle Motorantriebs-Frontenden verwendet werden
• Geeignet für Telekommunikations-Stromverteilungsmodule

Welche Verpackungs- und Montageaspekte sollte ich planen?

Er wird in einem TO-252-Gehäuse geliefert, das für die Oberflächenmontage vorgesehen ist

stellen Sie ein geeignetes Erdungsmuster und thermische Leitungen sicher, wenn eine Wärmeausbreitung auf Platinenebene erforderlich ist.

Wie wirkt sich der thermische Bereich auf den Einsatz aus?

Das Gerät ist für den Betrieb von -55 °C bis 150 °C ausgelegt, sodass es in Umgebungen mit extremen Temperaturschwankungen eingesetzt werden kann, ohne dass die Umgebungstemperatur innerhalb dieses Bereichs reduziert wird.

Welche Einschränkungen des Gate-Drives gelten während des Layouts?

Halten Sie die Gate-Leitungen kurz, um die Induktivität angesichts der Gate-Ladung von 13 nC zu minimieren und die absolute Gate-to-Source-Grenze von ±20 V während des Antriebs und der transienten Bedingungen einzuhalten.

Wie sollte ich die Strombelastbarkeit in meinem Design bewerten?

Verwenden Sie den kontinuierlichen Ablassstrom von 9 A als Basiswert und prüfen Sie den thermischen Widerstand und die Kühlung auf Systemebene, um die Sperrschichttemperaturen innerhalb der angegebenen Grenzen zu halten.