Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 50 A 150 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 214-4410
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP200N15N3GXKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Mengenpreis-Optionen anzeigenZwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*
CHF.81.80
Vorübergehend ausverkauft
- 500 Einheit(en) mit Versand ab 30. Juli 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.1.636 | CHF.81.81 |
| 100 - 200 | CHF.1.454 | CHF.72.82 |
| 250 - 450 | CHF.1.374 | CHF.68.73 |
| 500 - 950 | CHF.1.273 | CHF.63.83 |
| 1000 + | CHF.1.232 | CHF.61.36 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-4410
- Herst. Teile-Nr.:
- IPP200N15N3GXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 50A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 150V | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 20mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 23nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 4.4mm | |
| Länge | 10.2mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 50A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 150V | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 20mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 23nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 4.4mm | ||
Länge 10.2mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser Infineon OptiMOS 3 MOSFET ist ideal für Hochfrequenzschaltungen und synchrone Gleichrichtung. Es ist gemäß JEDEC für die Zielanwendung zugelassen
Es ist halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
Verwandte Links
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 50 A 150 W, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 37 A 40.5 W, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 80 V / 80 A 150 W, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 83 A 214 W, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 80 A 150 W, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 112 A 214 W, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 150 V / 120 A 300 W, 3-Pin TO-220
- Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 150 V / 50 A 150 W, 3-Pin TO-263