Infineon OptiMOS 3 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 96 A 375 W, 8-Pin HSOF
- RS Best.-Nr.:
- 214-4424
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT111N20NFDATMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.16.338
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | CHF.8.169 | CHF.16.33 |
| 10 - 18 | CHF.7.025 | CHF.14.05 |
| 20 - 48 | CHF.6.531 | CHF.13.06 |
| 50 - 98 | CHF.6.122 | CHF.12.24 |
| 100 + | CHF.5.628 | CHF.11.27 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-4424
- Herst. Teile-Nr.:
- IPT111N20NFDATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 96A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Gehäusegröße | HSOF | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 11.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 65nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 375W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 10.58 mm | |
| Höhe | 2.4mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 10.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 96A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Gehäusegröße HSOF | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 11.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 65nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 375W | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 10.58 mm | ||
Höhe 2.4mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 10.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser Infineon OptiMOS 3 MOSFET ist die perfekte Lösung für Hochleistungsanwendungen, bei denen höchste Effizienz, hervorragendes EMI-Verhalten sowie optimales thermisches Verhalten und Platzersparnis erforderlich sind.
Er ist RoHS-konform
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