Infineon 600V CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 63 A 278 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 214-4429
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R031CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*
CHF.17.898
Auf Lager
- 94 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 2 | CHF.8.949 | CHF.17.89 |
| 4 - 8 | CHF.8.504 | CHF.17.01 |
| 10 - 18 | CHF.8.141 | CHF.16.29 |
| 20 - 48 | CHF.7.787 | CHF.15.57 |
| 50 + | CHF.7.252 | CHF.14.49 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-4429
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R031CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 63A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | 600V CoolMOS CFD7 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 31mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 141nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 4.5 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 278W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Länge | 16.13mm | |
| Breite | 5.21 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 63A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie 600V CoolMOS CFD7 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 31mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 141nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 4.5 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 278W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 21.1mm | ||
Länge 16.13mm | ||
Breite 5.21 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 600V Cool MOS CFD7 verfügt über eine integrierte schnelle Gehäusediode und kommt mit reduzierter Gate-Ladung (Qg), verbessertem Abschaltverhalten und einer umgekehrten Rückgewinnungsladung (Qrr) von bis zu 69 % niedriger als bei der Konkurrenz
Er verfügt über eine hohe Zuverlässigkeit für resonante Topologien
Er verfügt über eine erstklassige harte Kommutierungsbeständigkeit
Verwandte Links
- Infineon 600V CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 63 A 278 W, 3-Pin TO-247
- Infineon 600V CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 31 A 156 W, 3-Pin TO-247
- Infineon 600V CoolMOS CFD7 Evaluierungsplatine, EVAL_3K3W_LLC_HB_CFD7 DC/DC-Wandler, für Stromversorgungen
- Infineon CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 31 A, 3-Pin TO-247
- Infineon 600V CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 59 W, 5-Pin ThinPAK
- Infineon 600V CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 14 A 85 W, 5-Pin ThinPAK
- Infineon 600V CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 9 A 52 W, 3-Pin TO-220
- Infineon 600V CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 18 A 92 W, 3-Pin TO-220