Infineon 600V CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET 600 V / 63 A 278 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 214-4429
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R031CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 2 - 2 | CHF.9.303 | CHF.18.60 |
| 4 - 8 | CHF.8.841 | CHF.17.68 |
| 10 - 18 | CHF.8.463 | CHF.16.94 |
| 20 - 48 | CHF.8.096 | CHF.16.19 |
| 50 + | CHF.7.539 | CHF.15.07 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-4429
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R031CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 63A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | 600V CoolMOS CFD7 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 31mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 278W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 4.5 V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 141nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 5.21 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 16.13mm | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 63A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie 600V CoolMOS CFD7 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 31mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 278W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 4.5 V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 141nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 5.21 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 16.13mm | ||
Höhe 21.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 600V Cool MOS CFD7 verfügt über eine integrierte schnelle Gehäusediode und kommt mit reduzierter Gate-Ladung (Qg), verbessertem Abschaltverhalten und einer umgekehrten Rückgewinnungsladung (Qrr) von bis zu 69 % niedriger als bei der Konkurrenz
Er verfügt über eine hohe Zuverlässigkeit für resonante Topologien
Er verfügt über eine erstklassige harte Kommutierungsbeständigkeit
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