Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 87 A 79 W, 3-Pin TO-263

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Herst. Teile-Nr.:
IRF3709ZSTRRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

87A

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

TO-263

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

7.8mΩ

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

26nC

Maximale Verlustleistung Pd

79W

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20V

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Dieser Infineon HEXFET MOSFET ist für niedrigen RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Er ist ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und erfordern Robustheit

Es verfügt über eine Produktqualifikation nach JEDEC-Standard

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