Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V / 87 A 79 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 214-4451
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF3709ZSTRRPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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|---|---|---|
| 10 - 40 | CHF.1.525 | CHF.15.27 |
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| 100 - 240 | CHF.1.394 | CHF.13.89 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-4451
- Herst. Teile-Nr.:
- IRF3709ZSTRRPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 87A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 7.8mΩ | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 79W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 26nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 87A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 7.8mΩ | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 79W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 26nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Dieser Infineon HEXFET MOSFET ist für niedrigen RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Er ist ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und erfordern Robustheit
Es verfügt über eine Produktqualifikation nach JEDEC-Standard
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