Infineon SIPMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 200 mA 0.36 W, 3-Pin SOT-23
- RS Best.-Nr.:
- 214-4475
- Herst. Teile-Nr.:
- SN7002NH6327XTSA2
- Marke:
- Infineon
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- RS Best.-Nr.:
- 214-4475
- Herst. Teile-Nr.:
- SN7002NH6327XTSA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 200mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Gehäusegröße | SOT-23 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 5Ω | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.36W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 1.5nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 60 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC61249-2-21, AEC Q101 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 200mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie SIPMOS | ||
Gehäusegröße SOT-23 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 5Ω | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.36W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 1.5nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 60 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen IEC61249-2-21, AEC Q101 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Diese Infineon SIPMOS Kleinsignal-MOSFETist ideal für Anwendungen in der Automobilindustrie und/oder anderen Bereichen geeignet. Sie sind in fast allen Anwendungen zu finden, z. B. Batterieschutz, Batterie Batterie laden, LED-Beleuchtung usw.
Es ist halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
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