Infineon OptiMOS-T2 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 80 A 79 W, 3-Pin TO-262
- RS Best.-Nr.:
- 214-9067
- Herst. Teile-Nr.:
- IPI80N06S4L07AKSA2
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.0.725 | CHF.36.44 |
| 100 - 200 | CHF.0.714 | CHF.35.49 |
| 250 - 450 | CHF.0.693 | CHF.34.55 |
| 500 - 950 | CHF.0.672 | CHF.33.65 |
| 1000 + | CHF.0.651 | CHF.32.81 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-9067
- Herst. Teile-Nr.:
- IPI80N06S4L07AKSA2
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Gehäusegröße | TO-262 | |
| Serie | OptiMOS-T2 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 6.7mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 79W | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 58nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 10.2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 4.4 mm | |
| Höhe | 23.45mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Gehäusegröße TO-262 | ||
Serie OptiMOS-T2 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 6.7mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 79W | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 58nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 10.2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 4.4 mm | ||
Höhe 23.45mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Die neue OptiMOS-T2-Serie von Infineon verfügt über eine Reihe von energieeffizienten MOSFET-Transistoren mit CO2-Reduzierung und elektrischen Antrieben. Die neue OptiMOS-T2-Produktfamilie erweitert die bestehenden OptiMOS-T- und OptiMOS-Familien. OptiMOS-Produkte sind in Hochleistungsgehäusen erhältlich, um die anspruchsvollsten Anwendungen zu bewältigen und bieten volle Flexibilität auf engstem Raum. Diese Infineon Produkte sind zur erfüllen und übertreffen die Energieeffizienz und Leistungsdichte Anforderungen der geschärft werden nächste Generation Spannungsregelung Normen Computeranwendungen.
Das Produkt ist AEC Q101-zertifiziert
Er hat eine Betriebstemperatur von 175 °C
100 % Lawinenprüfung
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