Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 15 A 102 W, 5-Pin VSON
- RS Best.-Nr.:
- 214-9079
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL65R130C7AUMA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | CHF.2.717 | CHF.13.57 |
| 10 - 20 | CHF.2.414 | CHF.12.08 |
| 25 - 45 | CHF.2.252 | CHF.11.27 |
| 50 - 120 | CHF.2.091 | CHF.10.44 |
| 125 + | CHF.1.929 | CHF.9.64 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-9079
- Herst. Teile-Nr.:
- IPL65R130C7AUMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 15A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Gehäusegröße | VSON | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 130mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 35nC | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 102W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.8V | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 8.1 mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 8.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 15A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Gehäusegröße VSON | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 130mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 35nC | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 102W | ||
Durchlassspannung Vf 0.8V | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 8.1 mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 8.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolMOS ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die CoolMOS C7-Serie kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Das Produktportfolio bietet alle Vorteile von schnellen Super Junction-MOSFETs, die eine höhere Effizienz, geringere Gate-Ladung, einfache Implementierung und hervorragende Zuverlässigkeit bieten.
Einfach zu verwenden/zu treiben durch Treiberquellen-Pin für bessere Leistung Steuerung des Tores
Zugelassen für industrielle Anwendungen gemäß JEDEC (J-STD20 und JESD22)
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