Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 97 A 147 W, 5-Pin IPL60R095CFD7AUMA1 VSON

RS Best.-Nr.:: 220-7431
Herst. Teile-Nr.:: IPL60R095CFD7AUMA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 97 A 147 W, 5-Pin IPL60R095CFD7AUMA1 VSON

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RS Best.-Nr.:: 220-7431
Herst. Teile-Nr.:: IPL60R095CFD7AUMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET & Diode
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	97A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Serie	CoolMOS
	Gehäusegröße	VSON
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	5
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	65mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	1V
	Maximale Verlustleistung Pd	147W
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	51nC
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	8.1mm
	Höhe	1.1mm
	Breite	8.1 mm
	Automobilstandard	Nein

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	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET & Diode
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 97A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Serie CoolMOS
	Gehäusegröße VSON
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 5
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 65mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 1V
	Maximale Verlustleistung Pd 147W
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 51nC
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Normen/Zulassungen No
	Länge 8.1mm
	Höhe 1.1mm
	Breite 8.1 mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPL60R095CFD7AUMA1

Der Infineon 600 V Cool MOS CFD7 ist die neueste Hochspannungs-Super-Junction-MOSFET-Technologie von Infineon mit integrierter schneller Gehäusediode, die die Cool MOS 7-Serie kompletzt. Cool MOS CFD7 kommt mit reduzierter Gate-Ladung (Qg), verbessertem Abschaltverhalten und einer Rückgewinnungsladung (Qrr) von bis zu 69 % niedriger als die Konkurrenz sowie der niedrigsten Rückgewinnungszeit (trr) auf dem Markt.

Ultraschnelle Gehäusediode

Erstklassige Rückgewinnungsladung (Qrr)

Verbesserte Sperrdiode dv/dt und dif/dt-Robustheit

Niedrigster FOM RDS(on) x Qg und Eoss

Erstklassige RDS(on)/Gehäusekombinationen

Erstklassige Robustheit bei harter Kommutierung

Höchste Zuverlässigkeit für resonante Topologien

Höchste Effizienz mit herausragendem Bedienkomfort/Leistungs-Kompromiss

Ermöglicht Lösungen mit erhöhter Leistungsdichte

Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 97 A 147 W, 5-Pin IPL60R095CFD7AUMA1 VSON

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