Infineon CoolMOS C7 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 68 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 214-9116
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R180C7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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CHF 55.74
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | CHF 1.858 | CHF 55.84 |
| 60 - 120 | CHF 1.768 | CHF 53.06 |
| 150 - 270 | CHF 1.697 | CHF 50.81 |
| 300 - 570 | CHF 1.616 | CHF 48.60 |
| 600 + | CHF 1.505 | CHF 45.24 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-9116
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R180C7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 180mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 68W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24nC | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Länge | 16.13mm | |
| Breite | 5.21mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 180mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Maximale Verlustleistung Pd 68W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Höhe 21.1mm | ||
Länge 16.13mm | ||
Breite 5.21mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolMOS C7 ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die Serie 600 V CoolMOS C7 kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Diese sind für harte und weiche Schaltfunktionen geeignet. Geeignet für Anwendungen wie Server, Telekommunikation und Solar.
Geeignet für hartes und weiches Schalten
Zugelassen für industrielle Anwendungen gemäß JEDEC
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