Infineon CoolMOS C7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 13 A 68 W, 3-Pin TO-247
- RS Best.-Nr.:
- 214-9116
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R180C7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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CHF.54.81
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Stück | Pro Stück | Pro Stange* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | CHF.1.827 | CHF.54.78 |
| 60 - 120 | CHF.1.733 | CHF.52.04 |
| 150 - 270 | CHF.1.659 | CHF.49.87 |
| 300 - 570 | CHF.1.586 | CHF.47.66 |
| 600 + | CHF.1.481 | CHF.44.38 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 214-9116
- Herst. Teile-Nr.:
- IPW60R180C7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 13A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Serie | CoolMOS C7 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 180mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 68W | |
| Durchlassspannung Vf | 0.9V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 24nC | |
| Länge | 16.13mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Breite | 5.21 mm | |
| Höhe | 21.1mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 13A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Serie CoolMOS C7 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 180mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 68W | ||
Durchlassspannung Vf 0.9V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 24nC | ||
Länge 16.13mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Breite 5.21 mm | ||
Höhe 21.1mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon CoolMOS C7 ist eine revolutionäre Technologie für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs, die nach dem Super Junction (SJ)-Prinzip entwickelt und von Infineon Technologies entwickelt wurde. Die Serie 600 V CoolMOS C7 kombiniert die Erfahrung des führenden SJ-MOSFET-Lieferanten mit erstklassiger Innovation. Diese sind für harte und weiche Schaltfunktionen geeignet. Geeignet für Anwendungen wie Server, Telekommunikation und Solar.
Geeignet für hartes und weiches Schalten
Zugelassen für industrielle Anwendungen gemäß JEDEC
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