Infineon Doppelt HEXFET Typ N-Kanal 1, Oberfläche MOSFET 20 V Erweiterung / 6.6 A 2 W, 8-Pin SO-8

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RS Best.-Nr.:
215-2582
Herst. Teile-Nr.:
IRF7311TRPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

6.6A

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Gehäusegröße

SO-8

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

29mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

12 V

Maximale Verlustleistung Pd

2W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

18nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

0.72V

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

4 mm

Höhe

1.5mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

5mm

Anzahl der Elemente pro Chip

1

Automobilstandard

Nein

Die Infineon Serie der fünften Generation des HEXFET von International Rectifier nutzt Advanced Processing Techniken, um einen extrem niedrigen Widerstand im Siliziumbereich zu erreichen. Diese Vorteile, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, für das HEXFET-Leistungs-MOSFET bekannt ist und ein Gerät mit ausreichender Leistung bietet, bietet dem Entwickler ein äußerst effizientes und zuverlässiges Gerät für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen. Das SO-8 wurde durch einen kundenspezifischen Kabelrahmen für verbesserte thermische Eigenschaften und Mehrfach-Matrize-Fähigkeit modifiziert und ist daher ideal für eine Vielzahl von Stromversorgungsanwendungen. Mit dieser Verbesserung können mehrere Geräte in einer Anwendung mit drastisch reduziertem Platinenplatz verwendet werden. Das Gehäuse ist für Dampfphase, Infrarot für Schwall-Lötverfahren ausgelegt.

Generation V-Technologie

Extrem niedriger Einschaltwiderstand

Oberflächenmontage

Vollständig lawinengeprüft

Zweifach-N-Kanal-MOSFET

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