Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 97 A 230 W, 3-Pin TO-262
- RS Best.-Nr.:
- 215-2603
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFSL4410ZPBF
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*
CHF.16.12
Nur noch Restbestände
- Letzte 1’085 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.3.224 | CHF.16.11 |
| 25 - 45 | CHF.2.898 | CHF.14.49 |
| 50 - 120 | CHF.2.709 | CHF.13.54 |
| 125 - 245 | CHF.2.51 | CHF.12.56 |
| 250 + | CHF.2.321 | CHF.11.59 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 215-2603
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFSL4410ZPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 97A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-262 | |
| Serie | StrongIRFET | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 9mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 230W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 120nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 97A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-262 | ||
Serie StrongIRFET | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 9mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 230W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 120nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Leistungs-MOSFET-Familie von Infineon Strong IRFET ist für niedrige RDS(on) und hohe Strombelastbarkeit optimiert. Die Geräte sind ideal für Anwendungen mit niedriger Frequenz, die Leistung und Robustheit erfordern. Das umfassende Portfolio ist für eine Vielzahl von Anwendungen geeignet, einschließlich DC-Motoren, Batterie- und Batteriemanagementsysteme, Wechselrichter und DC/DC-Wandler. Es verfügt über Anwendungen wie z. B. hocheffiziente synchrone Gleichrichtung in SMPS, unterbrechungsfreie Stromversorgung, schnelle Leistungsschaltung, hart geschaltete und Hochfrequenzschaltungen.
Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern
Produktqualifikation nach JEDEC-Standard
Durchkontaktiertes Leistungsgehäuse nach Industriestandard
Hoher Nennstrom
Verwandte Links
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 97 A 230 W, 3-Pin TO-262
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 172 A 230 W, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 97 A 230 W, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 100 V / 97 A 230 W, 3-Pin TO-220
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 40 V / 40 A 89 W, 3-Pin ISOMETRISCH
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 60 V / 195 A 375 W, 3-Pin TO-220
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 240 A 290 W, 7-Pin TO-263
- Infineon StrongIRFET Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 40 V / 195 A 366 W, 3-Pin TO-247