ROHM Doppelt HP N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 80 A 31 W, 8-Pin HSOP
- RS Best.-Nr.:
- 215-9751
- Herst. Teile-Nr.:
- HP8K24TB
- Marke:
- ROHM
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Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Serie | HP | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 30 V | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 80 A | |
| Maximale Verlustleistung (Pd) | 31 W | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | HSOP | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Durchlassspannung (Vf) | 1.2 V | |
| Höhe | 1.1 mm | |
| Länge | 5 mm | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 3 mΩ | |
| Gate-Source-spannung max (Vgs) | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150 °C | |
| Betriebstemperatur min. | -55 °C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs | 10 nC | |
| Breite | 6 mm | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Serie HP | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 30 V | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 80 A | ||
Maximale Verlustleistung (Pd) 31 W | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße HSOP | ||
Automobilstandard Nein | ||
Durchlassspannung (Vf) 1.2 V | ||
Höhe 1.1 mm | ||
Länge 5 mm | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 3 mΩ | ||
Gate-Source-spannung max (Vgs) 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150 °C | ||
Betriebstemperatur min. -55 °C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Gate-Ladung typisch (Qg) @ Vgs 10 nC | ||
Breite 6 mm | ||
The Rohm power MOSFET having voltage rating of 30V. It has low on resistance. It is mainly used in switching and DC-DC converter.
Pb free
RoHS compliant
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