ROHM Doppelt HP N-Kanal 2, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 80 A 31 W, 8-Pin HSOP
- RS Best.-Nr.:
- 215-9752
- Herst. Teile-Nr.:
- HP8K24TB
- Marke:
- ROHM
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- HP8K24TB
- Marke:
- ROHM
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 80A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | HSOP | |
| Serie | HP | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 3mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 10nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 31W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Transistor-Konfiguration | Doppelt | |
| Länge | 5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Breite | 6mm | |
| Anzahl der Elemente pro Chip | 2 | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 80A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße HSOP | ||
Serie HP | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 3mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 10nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 31W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Transistor-Konfiguration Doppelt | ||
Länge 5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.1mm | ||
Breite 6mm | ||
Anzahl der Elemente pro Chip 2 | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Rohm Leistungs-MOSFET hat eine Nennspannung von 30 V. Er hat einen niedrigen Einschaltwiderstand. Er wird hauptsächlich in Schalt- und DC/DC-Wandlern verwendet.
Bleifrei
RoHS-konform
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