Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 41 A 56 W, 8-Pin PDFN56

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Alle MOSFET anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
216-9692
Herst. Teile-Nr.:
TSM150NB04CR
Marke:
Taiwan Semiconductor
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Taiwan Semiconductor

Kabelkanaltyp

Typ N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

41A

Drain-Source-Spannung Vds max.

40V

Serie

TSM025

Gehäusegröße

PDFN56

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

15mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Maximale Verlustleistung Pd

56W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

19nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

WEEE, RoHS, IEC

Länge

6.2mm

Breite

5.2 mm

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

Nein

Die Taiwan Semiconductor Single N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxide Semiconductor". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.

Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von leitfähigen Verlusten Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten 100 % UIS- und Rg-geprüft

Verwandte Links