Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 35 A 68 W, 8-Pin PDFN56
- RS Best.-Nr.:
- 216-9704
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM220NB06LCR
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 25 Stück)*
CHF.29.40
Lagerbestand aktuell unbekannt – Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | CHF.1.176 | CHF.29.32 |
| 50 - 75 | CHF.1.155 | CHF.28.77 |
| 100 - 225 | CHF.1.061 | CHF.26.41 |
| 250 - 975 | CHF.1.04 | CHF.25.91 |
| 1000 + | CHF.0.966 | CHF.24.07 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 216-9704
- Herst. Teile-Nr.:
- TSM220NB06LCR
- Marke:
- Taiwan Semiconductor
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Taiwan Semiconductor | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 35A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 60V | |
| Serie | TSM025 | |
| Gehäusegröße | PDFN56 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 22mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 23nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 68W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 4.2 mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 6.2mm | |
| Normen/Zulassungen | IEC 61249-2-21, RoHS, WEEE | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Taiwan Semiconductor | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 35A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 60V | ||
Serie TSM025 | ||
Gehäusegröße PDFN56 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 22mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 23nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 68W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 4.2 mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 6.2mm | ||
Normen/Zulassungen IEC 61249-2-21, RoHS, WEEE | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die Taiwan Semiconductor Single N-Kanal Leistungs-MOSFET-Transistoren, steht für "Feldeffekttransistoren von Metalloxide Semiconductor". MOSFETs sind Transistorgeräte, die von einem Kondensator gesteuert werden. "Feldeffekt" bedeutet, dass sie über Spannung gesteuert werden. Das Ziel eines MOSFET ist die Steuerung des Stromflusses, der von der Quelle zu den Drain-Anschlüssen fließt.
Niedriger RDS(ON) zur Minimierung von leitfähigen Verlusten Niedrige Gate-Ladung für schnelles Schalten 100 % UIS- und Rg-geprüft
Verwandte Links
- Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 35 A 68 W, 8-Pin PDFN56
- Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 51 A 68 W, 8-Pin PDFN56
- Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 54 A 68 W, 8-Pin PDFN56
- Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 644 A 107 W, 8-Pin PDFN56
- Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal MOSFET Erweiterung 40 V / 161 A 135 W, 8-Pin PDFN56
- Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 80 A 74 W, 8-Pin PDFN56
- Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 28 A 56 W, 8-Pin PDFN56
- Taiwan Semiconductor TSM025 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 30 A 48 W, 8-Pin PDFN56