Teile-Nr.

Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 2.6 A 38 W, 3-Pin TO-251

RS Best.-Nr.:: 217-2576
Herst. Teile-Nr.:: IPS60R3K4CEAKMA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 2.6 A 38 W, 3-Pin TO-251

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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150 - 300	CHF.0.168	CHF.12.68
375 - 675	CHF.0.158	CHF.11.81
750 - 1800	CHF.0.147	CHF.10.94
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RS Best.-Nr.:: 217-2576
Herst. Teile-Nr.:: IPS60R3K4CEAKMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	2.6A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	600V
	Serie	CoolMOS CE
	Gehäusegröße	TO-251
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	3.4Ω
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	0.9V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	6.7nC
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Maximale Verlustleistung Pd	38W
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Höhe	9.82mm
	Länge	6.73mm
	Normen/Zulassungen	No
	Breite	2.4 mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 2.6A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 600V
	Serie CoolMOS CE
	Gehäusegröße TO-251
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 3.4Ω
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 0.9V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 6.7nC
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Maximale Verlustleistung Pd 38W
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Höhe 9.82mm
	Länge 6.73mm
	Normen/Zulassungen No
	Breite 2.4 mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPS60R3K4CEAKMA1

Der Infineon CoolMOS TM CE ist für harte und weiche Schaltanwendungen geeignet und bietet als moderne Superjunction niedrige Leitungs- und Schaltverluste, die die Effizienz verbessern und letztendlich den Stromverbrauch reduzieren. 600 V, 650 V und 700 V CoolMOS TM CE kombinieren den optimalen R DS(on) und das Gehäuse, das in Ladegeräten mit geringer Leistungsaufnahme für Mobiltelefone und Tablets geeignet ist.

Schmale Ränder zwischen typisch und max. R DS(on)

Geringere Energiespeicherung in der Ausgangskapazität (E oss)

Gute Robustheit der Gehäusediode und geringere Rückgewinnungsladung (Q rr)

Optimierte integrierte R g.

Infineon CoolMOS CE Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET Erweiterung 600 V / 2.6 A 38 W, 3-Pin TO-251

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