Infineon HEXFET N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 5 A 43 W, 3-Pin TO-252
- RS Best.-Nr.:
- 217-2616
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR220NTRLPBF
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 3000 - 3000 | CHF 0.414 | CHF 1'230.18 |
| 6000 + | CHF 0.394 | CHF 1'169.58 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 217-2616
- Herst. Teile-Nr.:
- IRFR220NTRLPBF
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 200V | |
| Gehäusegröße | TO-252 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 600mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 43W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 15nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1.3V | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Höhe | 10.41mm | |
| Breite | 2.39mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 6.73mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 200V | ||
Gehäusegröße TO-252 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 600mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 43W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 15nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1.3V | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Höhe 10.41mm | ||
Breite 2.39mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 6.73mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 200 V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse.
Planare Zellstruktur für eine breite SOA
Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern
Produktqualifikation nach JEDEC-Standard
Silizium optimiert für Anwendungen, die unter <100 kHz schalten
SMD-Leistungsgehäuse nach Industriestandard
Kann wellengelötet werden
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