Infineon HEXFET Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 200 V / 5 A 43 W, 3-Pin TO-252

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RS Best.-Nr.:
217-2616
Herst. Teile-Nr.:
IRFR220NTRLPBF
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

5A

Drain-Source-Spannung Vds max.

200V

Gehäusegröße

TO-252

Serie

HEXFET

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

600mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

15nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Verlustleistung Pd

43W

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Durchlassspannung Vf

1.3V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Höhe

10.41mm

Normen/Zulassungen

No

Breite

2.39 mm

Länge

6.73mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon 200 V-Einfach-N-Kanal-HEXFET-Leistungs-MOSFET in einem D-Pak-Gehäuse.

Planare Zellstruktur für eine breite SOA

Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit von Verteilungspartnern

Produktqualifikation nach JEDEC-Standard

Silizium optimiert für Anwendungen, die unter <100 kHz schalten

SMD-Leistungsgehäuse nach Industriestandard

Kann wellengelötet werden

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