Infineon HEXFET Typ P-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 100 V / 38 A 3.1 W, 3-Pin TO-263
- RS Best.-Nr.:
- 218-2971
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRF5210STRL
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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CHF.2'593.60
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Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 800 + | CHF.3.242 | CHF.2'590.45 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 218-2971
- Herst. Teile-Nr.:
- AUIRF5210STRL
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ P | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 38A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 100V | |
| Gehäusegröße | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 60mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | -1.6V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 150nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 3.1W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 4.83mm | |
| Länge | 10.67mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ P | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 38A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 100V | ||
Gehäusegröße TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 60mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf -1.6V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 150nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 3.1W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 4.83mm | ||
Länge 10.67mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon P-Kanal-MOSFET für die Automobilindustrie. Er wurde speziell für den Einsatz in der Automobilindustrie entwickelt. Dieses zellulare Design von HEXFET ® Leistungs-MOSFETs nutzt die neuesten Verarbeitungstechniken, um einen geringen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Siliziumfläche zu erreichen.
Fortschrittliche Verfahrenstechnologie
P-Kanal-MOSFET
Sehr niedriger Einschaltwiderstand
Dynamische dv/dt-Bewertung
Fast Switching
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