Infineon 600V CoolMOS CFD7 Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 600 V / 11 A 32 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 218-2997
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA60R125CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
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Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | CHF.4.414 | CHF.22.06 |
| 10 - 20 | CHF.3.838 | CHF.19.20 |
| 25 - 45 | CHF.3.575 | CHF.17.87 |
| 50 - 120 | CHF.3.303 | CHF.16.53 |
| 125 + | CHF.3.091 | CHF.15.44 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 218-2997
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA60R125CFD7XKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 11A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 600V | |
| Serie | 600V CoolMOS CFD7 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 125mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Durchlassspannung Vf | 1V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 32W | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Höhe | 29.75mm | |
| Länge | 10.65mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 11A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 600V | ||
Serie 600V CoolMOS CFD7 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 125mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Durchlassspannung Vf 1V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 32W | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Höhe 29.75mm | ||
Länge 10.65mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der N-Kanal-Leistungs-MOSFET der Infineon Serie 600 V CoolMOS TM CFD7. Die CoolMOS TM CFD7-Technologie erfüllt höchste Effizienz- und Zuverlässigkeitsstandards und unterstützt darüber hinaus Lösungen mit hoher Leistungsdichte.
Ultraschnelle Gehäusediode
Niedrige Gateladung
Erstklassige Rückgewinnungsladung (Qrr)
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