Infineon 700V CoolMOS P7 N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET N 700 V / 8.5 A 24.9 W, 3-Pin TO-220
- RS Best.-Nr.:
- 218-3011
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA70R600P7SXKSA1
- Marke:
- Infineon
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
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| 50 - 50 | CHF 0.687 | CHF 34.14 |
| 100 - 200 | CHF 0.566 | CHF 28.33 |
| 250 - 450 | CHF 0.535 | CHF 26.61 |
| 500 - 1200 | CHF 0.495 | CHF 24.90 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 218-3011
- Herst. Teile-Nr.:
- IPA70R600P7SXKSA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 8.5A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 700V | |
| Serie | 700V CoolMOS P7 | |
| Gehäusegröße | TO-220 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 600mΩ | |
| Channel-Modus | N | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 30V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 24.9W | |
| Durchlassspannung Vf | 900mV | |
| Maximale Betriebstemperatur | +150°C | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 8.5A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 700V | ||
Serie 700V CoolMOS P7 | ||
Gehäusegröße TO-220 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 600mΩ | ||
Channel-Modus N | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 30V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Verlustleistung Pd 24.9W | ||
Durchlassspannung Vf 900mV | ||
Maximale Betriebstemperatur +150°C | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon 700 V CoolMOS P7 Serie MOSFET, 700 V Drain-Source-Spannung, 8,5 A kontinuierlicher Drain-Strom – IPA70R600P7SXKSA1
Dieser MOSFET ist ein Hochspannungs-N-Kanal-Transistor, der für die Leistungsschaltung in Durchsteckmontagen entwickelt wurde. Er funktioniert in einem breiten Umgebungsbereich und eignet sich für Anwendungen, die eine erhebliche Spannungsblockierung und eine kontrollierte Gate-Ansteuerung erfordern, während er in einem TO-220-Gehäuse montiert ist.
Merkmale und Vorteile:
• 700 V Drain-Source-Nennleistung ermöglicht Hochspannungsschaltfähigkeit
• 8,5 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Stromlasten
• 600 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste bei Schaltzyklen
• 0,9 V Durchlassspannung begrenzt den Diodenabfall während der Kommutierung
• Die Verlustleistung von 24.9 W ermöglicht einen erheblichen thermischen Durchsatz
• Maximale Gate-Source-Spannung von 30 V ermöglicht Standard-Gate-Drive-Spannungen
• 8,5 A kontinuierlicher Ablassstrom unterstützt moderate Stromlasten
• 600 mΩ Rds(on) reduziert Leitungsverluste bei Schaltzyklen
• 0,9 V Durchlassspannung begrenzt den Diodenabfall während der Kommutierung
• Die Verlustleistung von 24.9 W ermöglicht einen erheblichen thermischen Durchsatz
• Maximale Gate-Source-Spannung von 30 V ermöglicht Standard-Gate-Drive-Spannungen
Anwendungsbereich
• Wird zum Schalten in Hochspannungsnetzteilen verwendet
• Geeignet für industrielle Hochspannungswandler und Wechselrichter
• Ideal für Durchsteckprototypen, die eine robuste Wärmeableitung erfordern
• Kann für Telekommunikations-Leistungsstufen mit mittlerem Strom verwendet werden
• Wird mit diskreten Gate-Drive-Schaltkreisen in Laborprüfanlagen verwendet
• Geeignet für industrielle Hochspannungswandler und Wechselrichter
• Ideal für Durchsteckprototypen, die eine robuste Wärmeableitung erfordern
• Kann für Telekommunikations-Leistungsstufen mit mittlerem Strom verwendet werden
• Wird mit diskreten Gate-Drive-Schaltkreisen in Laborprüfanlagen verwendet
Welchen Betriebstemperaturen kann er standhalten?
Er funktioniert in einem Temperaturbereich von -40 °C bis +150 °C.
Wie sollte es montiert werden, um eine optimale thermische Leistung zu erzielen?
Das Durchstecklochformat TO-220 ist für die Schraubmontage von Kühlkörpern vorgesehen, um die Verlustleistung zu maximieren.
Welche Gate-Drive-Beschränkungen müssen beachtet werden?
Die Gate-Source-Spannung darf 30 V nicht überschreiten, um Gate-Schäden zu vermeiden.
Welche Leitungs- und Schaltleistungsfaktoren beeinflussen die Auswahl?
Leitungsverluste beziehen sich auf den Einschaltwiderstand von 600 mΩ, und das Schaltverhalten wird durch die Vorwärtsdiodecharakteristik von 0,9 V beeinflusst.
Ist dieses Gerät für Standardanwendungen im Automobilbereich spezifiziert?
Er entspricht nicht den Automobilstandards und sollte entsprechend bewertet werden.
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