STMicroelectronics RF3L05150CB4 N-Kanal, Oberfläche MOSFET 90 V / 2.5 A, 5-Pin LBB
- RS Best.-Nr.:
- 218-4819
- Herst. Teile-Nr.:
- RF3L05150CB4
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 218-4819
- Herst. Teile-Nr.:
- RF3L05150CB4
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Serie | RF3L05150CB4 | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Drain-Source-Spannung (Vds) max. | 90 V | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) | 2.5 A | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Gehäusegröße | LBB | |
| Drain-Source-Widerstand (Rds) max. | 1 Ω | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Serie RF3L05150CB4 | ||
Kabelkanaltyp N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Drain-Source-Spannung (Vds) max. 90 V | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. (Id) 2.5 A | ||
Pinanzahl 5 | ||
Gehäusegröße LBB | ||
Drain-Source-Widerstand (Rds) max. 1 Ω | ||
The STMicroelectronics XXXx Is the state of the ART LDMOS FET designed for wide-band communication and ISM applications with frequencies from HF to 1 GHz. This product also finds application in 136-174 MHz commercial ground communication and 30-512 MHz Jammer, ground/air communication systems.
Has Integrated ESD Protection
Has High Efficiency and Linear Gain operations
Has European Directive 2002/95/EC Compliance
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