STMicroelectronics Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 650 V / 40 A, 5-Pin
- RS Best.-Nr.:
- 219-4225
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTL90N65G2V
- Marke:
- STMicroelectronics
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- RS Best.-Nr.:
- 219-4225
- Herst. Teile-Nr.:
- SCTL90N65G2V
- Marke:
- STMicroelectronics
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 40A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 650V | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 0.24Ω | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 40A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 650V | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 0.24Ω | ||
Das Siliziumkarbid-Power-MOSFET-Gerät von STMicroelectronics wurde mit der fortschrittlichen und innovativen Sic-MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät verfügt über einen bemerkenswert niedrigen Einschaltwiderstand pro Einheitsfläche und eine sehr gute Schaltleistung. Die Variation des Schaltverlusts ist fast unabhängig von der Anschlusstemperatur.
Sehr schnelle und robuste eigensichere Body-Diode
Niedrige Kapazitäten
Sensor-Stift für erhöhte Effizienz
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