Infineon C7 GOLD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 23 A 106 W, 8-Pin IPT60R150G7XTMA1 HSOF

RS Best.-Nr.:: 219-6013
Herst. Teile-Nr.:: IPT60R150G7XTMA1
Marke:: Infineon

Infineon C7 GOLD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 23 A 106 W, 8-Pin IPT60R150G7XTMA1 HSOF

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 219-6013
Herst. Teile-Nr.:: IPT60R150G7XTMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	23A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Gehäusegröße	HSOF
	Serie	C7 GOLD
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	150mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Durchlassspannung Vf	0.8V
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	106W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	23nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Breite	10.58 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Länge	10.1mm
	Höhe	2.4mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 23A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Gehäusegröße HSOF
	Serie C7 GOLD
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 150mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Durchlassspannung Vf 0.8V
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 106W
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 23nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Breite 10.58 mm
	Normen/Zulassungen No
	Länge 10.1mm
	Höhe 2.4mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPT60R150G7XTMA1

Die Infineon CoolMOS C7 Gold Superjunction MOSFET-Serie (G7) vereint die Vorteile der verbesserten 600-V-CoolMOS TM C7 Gold-Technologie, 4-polige Kelvin-Quellfähigkeit und die verbesserten thermischen Eigenschaften des TO-Leadless (TOLL)-Gehäuses, um eine mögliche SMD-Lösung für Starkstrom-Hartschalungstopologien wie Leistungsfaktorkorrektur (PFC) bis zu 3 kW und für Schwingkreise wie High End LLC zu ermöglichen.

Bietet erstklassige FOM R DS(on)xE oss und R DS(on)XQ G

Ermöglicht Best-in-Class R DS(on) auf kleinstem Raum

Integrierte 4-polige Kelvin-Quellkonfiguration und niedrige parasitäre Quellinduktivität (∼1 nH)

Ist MSL1-konform, absolut bleifrei, hat gerillte Visual Inspection-Leitungen

Ermöglicht eine verbesserte thermische Leistung

Höhere Effizienz durch verbesserte C7 Gold-Technologie und schnelleres Schalten

Verbesserte Leistungsdichte durch niedrigen R DS(on) bei geringer Abmessung, entweder durch Ersetzen von TO-Gehäusen (Höhenbeschränkungen) oder parallel vergossener SMD-Gehäuse aufgrund von thermischen oder R DS(on)-Anforderungen

Infineon C7 GOLD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 23 A 106 W, 8-Pin IPT60R150G7XTMA1 HSOF

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