Infineon C7 GOLD Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 650 V / 23 A 106 W, 8-Pin HSOF

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RS Best.-Nr.:
219-6013
Herst. Teile-Nr.:
IPT60R150G7XTMA1
Marke:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

23A

Drain-Source-Spannung Vds max.

650V

Serie

C7 GOLD

Gehäusegröße

HSOF

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

8

Drain-Source-Widerstand Rds max.

150mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

23nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

106W

Durchlassspannung Vf

0.8V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Höhe

2.4mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

10.1mm

Breite

10.58 mm

Automobilstandard

Nein

Die Infineon CoolMOS C7 Gold Superjunction MOSFET-Serie (G7) vereint die Vorteile der verbesserten 600-V-CoolMOS TM C7 Gold-Technologie, 4-polige Kelvin-Quellfähigkeit und die verbesserten thermischen Eigenschaften des TO-Leadless (TOLL)-Gehäuses, um eine mögliche SMD-Lösung für Starkstrom-Hartschalungstopologien wie Leistungsfaktorkorrektur (PFC) bis zu 3 kW und für Schwingkreise wie High End LLC zu ermöglichen.

Bietet erstklassige FOM R DS(on)xE oss und R DS(on)XQ G

Ermöglicht Best-in-Class R DS(on) auf kleinstem Raum

Integrierte 4-polige Kelvin-Quellkonfiguration und niedrige parasitäre Quellinduktivität (∼1 nH)

Ist MSL1-konform, absolut bleifrei, hat gerillte Visual Inspection-Leitungen

Ermöglicht eine verbesserte thermische Leistung

Höhere Effizienz durch verbesserte C7 Gold-Technologie und schnelleres Schalten

Verbesserte Leistungsdichte durch niedrigen R DS(on) bei geringer Abmessung, entweder durch Ersetzen von TO-Gehäusen (Höhenbeschränkungen) oder parallel vergossener SMD-Gehäuse aufgrund von thermischen oder R DS(on)-Anforderungen

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