Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 40 V / 205 A 115 W, 8-Pin TDSON

RS Best.-Nr.:: 220-7349
Herst. Teile-Nr.:: BSC014N04LSTATMA1
Marke:: Infineon

Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 40 V / 205 A 115 W, 8-Pin TDSON

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

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RS Best.-Nr.:: 220-7349
Herst. Teile-Nr.:: BSC014N04LSTATMA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

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Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

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Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Produkt Typ	MOSFET & Diode
	Kabelkanaltyp	Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	205A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	40V
	Gehäusegröße	TDSON
	Serie	OptiMOS 5
	Montageart	Oberfläche
	Pinanzahl	8
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	1.4mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	115W
	Durchlassspannung Vf	1V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	61nC
	Betriebstemperatur min.	-55°C
	Maximale Betriebstemperatur	175°C
	Breite	6.1 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Höhe	1.2mm
	Länge	5.35mm
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Produkt Typ MOSFET & Diode
	Kabelkanaltyp Typ N
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 205A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 40V
	Gehäusegröße TDSON
	Serie OptiMOS 5
	Montageart Oberfläche
	Pinanzahl 8
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.4mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 115W
	Durchlassspannung Vf 1V
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 61nC
	Betriebstemperatur min. -55°C
	Maximale Betriebstemperatur 175°C
	Breite 6.1 mm
	Normen/Zulassungen No
	Höhe 1.2mm
	Länge 5.35mm
	Automobilstandard Nein

Datasheet - BSC014N04LSTATMA1

Der Infineon OptiMOS 5 Leistungs-MOSFET im SuperSO8-Gehäuse bietet die neueste Technologie zusammen mit Temperaturverbesserungen im Gehäuse. Diese neue Kombination ermöglicht eine höhere Leistungsdichte sowie eine verbesserte Robustheit. Im Vergleich zu Geräten mit niedrigerer Nennleistung bietet die TJ_MAX-Funktion von 175 °C entweder mehr Leistung bei einer höheren Betriebstemperatur der Verbindung oder eine längere Lebensdauer bei der gleichen Betriebstemperatur der Verbindung. Darüber hinaus wird eine Verbesserung um 20 % im sicheren Betriebsbereich (SOA) erreicht. Diese neue Gehäusefunktion ist perfekt für Anwendungen wie Telekommunikation, Motorantriebe und Server geeignet.

Niedriger RDS (EIN)

Optimiert für synchrone Gleichrichtung

Verbesserte 175 °C-Fähigkeit in SuperSO8

Längere Lebensdauer

Höchste Effizienz und Leistungsdichte

Höchste Systemzuverlässigkeit

Thermische Robustheit

Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 40 V / 205 A 115 W, 8-Pin TDSON

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