Infineon OptiMOS 5 Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET & Diode Erweiterung 40 V / 100 A 150 W, 8-Pin IPC100N04S5L1R1ATMA1
- RS Best.-Nr.:
- 220-7400
- Herst. Teile-Nr.:
- IPC100N04S5L1R1ATMA1
- Marke:
- Infineon
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|---|---|---|
| 5 - 20 | CHF.2.016 | CHF.10.06 |
| 25 - 45 | CHF.1.649 | CHF.8.24 |
| 50 - 120 | CHF.1.533 | CHF.7.66 |
| 125 - 245 | CHF.1.428 | CHF.7.13 |
| 250 + | CHF.1.323 | CHF.6.64 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 220-7400
- Herst. Teile-Nr.:
- IPC100N04S5L1R1ATMA1
- Marke:
- Infineon
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET & Diode | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 100A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Gehäusegröße | TDSON | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.1V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 16 V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 150W | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 105nC | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Breite | 5.58 mm | |
| Länge | 5.25mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET & Diode | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 100A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Gehäusegröße TDSON | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 8 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.1V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 16 V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 150W | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 105nC | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Breite 5.58 mm | ||
Länge 5.25mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Höhe 1.1mm | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der Infineon bietet eine breite Palette von N-Kanal-MOSFETs mit 20 V bis 40 V für die Automobilindustrie mit der neuen OptiMOS-Technologie in einer Vielzahl von Gehäusen, um eine Reihe von Anforderungen zu erfüllen und RDS(on) bis hinunter auf 0,6 mEc zu erreichen. Die neue OptiMOS 6- und OptiMOS5 40-V-Benchmark-MOSFET-Technologie ermöglicht niedrige Leitungsverluste (Beste RDSon Leistung der Klasse), geringe Schaltverluste (verbessertes Schaltverhalten), verbesserte Diodenwiederherstellung und EMV-Verhalten. Diese MOSFET-Technologie wird in den Advanced- und innovativen Gehäusen eingesetzt, um die besten Produktleistungen und -qualität zu erreichen. Für ultimative Entwurfsflexibilität sind Kfz-qualifizierte MOSFETs in einer Vielzahl von Gehäusen erhältlich, um eine Vielzahl von Anforderungen zu erfüllen. Infineon bietet seinen Kunden eine kontinuierliche Verbesserung der Strombelastbarkeit, des Schaltverhaltens, der Zuverlässigkeit, der Gehäusegröße und der Gesamtqualität. Die neu entwickelte integrierte Halbbrücke ist eine innovative und kostengünstige Paketlösung für Motorantriebe und Gehäuseanwendungen.
OptiMOS TM - Leistungs-MOSFET für Kfz-Anwendungen
N-Kanal - Erweiterungsmodus - Logikpegel
MSL1 bis zu 260 °C Spitze Aufschmelzlötung
175 °C Betriebstemperatur
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