Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 99.6 A 277.8 W, 3-Pin TO-247

RS Best.-Nr.:: 220-7462
Herst. Teile-Nr.:: IPW65R110CFDAFKSA1
Marke:: Infineon

Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 99.6 A 277.8 W, 3-Pin TO-247

Abbildung stellvertretend für Produktreihe

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

CHF.12.348

Auf Lager

Zusätzlich 148 Einheit(en) mit Versand ab 20. Januar 2026

Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück	Pro Stück	Pro Packung*
2 - 8	CHF.6.174	CHF.12.34
10 - 18	CHF.5.565	CHF.11.12
20 - 48	CHF.5.187	CHF.10.37
50 - 98	CHF.4.872	CHF.9.74
100 +	CHF.4.505	CHF.9.01

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:: 220-7462
Herst. Teile-Nr.:: IPW65R110CFDAFKSA1
Marke:: Infineon

Technische Daten

Mehr Infos und technische Dokumente

Rechtliche Anforderungen

Produktdetails

Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.

Alle auswählen	Eigenschaft	Wert
	Marke	Infineon
	Kabelkanaltyp	Typ N
	Produkt Typ	MOSFET & Diode
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id	99.6A
	Drain-Source-Spannung Vds max.	650V
	Gehäusegröße	TO-247
	Serie	CoolMOS
	Montageart	Durchsteckmontage
	Pinanzahl	3
	Drain-Source-Widerstand Rds max.	110mΩ
	Channel-Modus	Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs	118nC
	Betriebstemperatur min.	-40°C
	Gate-Source-spannung max Vgs	20 V
	Maximale Verlustleistung Pd	277.8W
	Durchlassspannung Vf	0.9V
	Maximale Betriebstemperatur	150°C
	Länge	16.13mm
	Höhe	21.1mm
	Breite	5.21 mm
	Normen/Zulassungen	No
	Automobilstandard	Nein

	Alle auswählen
	Marke Infineon
	Kabelkanaltyp Typ N
	Produkt Typ MOSFET & Diode
	kontinuierlicher Drainstrom max. Id 99.6A
	Drain-Source-Spannung Vds max. 650V
	Gehäusegröße TO-247
	Serie CoolMOS
	Montageart Durchsteckmontage
	Pinanzahl 3
	Drain-Source-Widerstand Rds max. 110mΩ
	Channel-Modus Erweiterung
	Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 118nC
	Betriebstemperatur min. -40°C
	Gate-Source-spannung max Vgs 20 V
	Maximale Verlustleistung Pd 277.8W
	Durchlassspannung Vf 0.9V
	Maximale Betriebstemperatur 150°C
	Länge 16.13mm
	Höhe 21.1mm
	Breite 5.21 mm
	Normen/Zulassungen No
	Automobilstandard Nein

Datasheet - IPW65R110CFDAFKSA1

Der 650V Cool MOS CFDA Super Junction (SJ) MOSFET von Infineon ist die zweite Generation von marktführenden, für den Einsatz in der Automobilindustrie qualifizierten Cool MOS-Leistungs-MOSFETs. Neben den bekannten Eigenschaften von hoher Qualität und Zuverlässigkeit, die die Automobilindustrie benötigt, bietet die 650V Cool MOS CFDA-Serie auch eine integrierte schnelle Gehäusediode.

Erste für den Einsatz in der Automobilindustrie geeignete 650-V-Technologie mit integrierter schneller Gehäusediode Auf dem Markt

Begrenztes Überschwingen der Spannung bei harter Kommutierung - Selbstbegrenzung di/dt Und dv/dt

Niedriger Gate-Ladewert Q g.

Niedrige Q rr bei wiederholter Kommutierung auf Gehäusediode und Niedriger Q-Wurf

Reduzierte Ein- und Einschaltzeiten

Erhöhte Sicherheitsmarge durch höhere Durchschlagsspannung

Verringertes EMI-Erscheinungsbild und einfache Bauweise

Bessere Effizienz bei geringer Last

Geringere Schaltverluste

Höhere Schaltfrequenz und/oder höherer Arbeitszyklus möglich

Hohe Qualität und Zuverlässigkeit

Infineon CoolMOS Typ N-Kanal, Durchsteckmontage MOSFET & Diode Erweiterung 650 V / 99.6 A 277.8 W, 3-Pin TO-247

Verwandte Links