onsemi NTMFS1D7N N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 170 A 87 W, 5-Pin DFN
- RS Best.-Nr.:
- 221-6730
- Herst. Teile-Nr.:
- NTMFS1D7N03CGT1G
- Marke:
- onsemi
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- RS Best.-Nr.:
- 221-6730
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- NTMFS1D7N03CGT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 170A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 30V | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Serie | NTMFS1D7N | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1.74mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 87W | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 48nC | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 5.3mm | |
| Höhe | 6.3mm | |
| Breite | 1.1mm | |
| Normen/Zulassungen | Pb-Free, RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 170A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 30V | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Serie NTMFS1D7N | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1.74mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 87W | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 48nC | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 5.3mm | ||
Höhe 6.3mm | ||
Breite 1.1mm | ||
Normen/Zulassungen Pb-Free, RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor 30 V Leistungs-MOSFET verwendete 170 A Abflussstrom mit einem N-Kanal. Es verbessert das Einschaltstrommanagement und verbessert die Systemeffizienz.
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
Niedrige Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
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