onsemi NVMFS5C Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 40 V / 277 A 146 W, 5-Pin NVMFS5C420NLWFT1G DFN
- RS Best.-Nr.:
- 221-6754
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFS5C420NLWFT1G
- Marke:
- onsemi
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|---|---|---|
| 10 - 90 | CHF.2.541 | CHF.25.44 |
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| 250 + | CHF.1.901 | CHF.19.02 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 221-6754
- Herst. Teile-Nr.:
- NVMFS5C420NLWFT1G
- Marke:
- onsemi
Technische Daten
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Produktdetails
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 277A | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 40V | |
| Serie | NVMFS5C | |
| Gehäusegröße | DFN | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 5 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 1mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 146W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 20 V | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 100nC | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Länge | 6.3mm | |
| Breite | 1.1 mm | |
| Normen/Zulassungen | RoHS, AEC-Q101 and PPAP Capable | |
| Höhe | 5.3mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 277A | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 40V | ||
Serie NVMFS5C | ||
Gehäusegröße DFN | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 5 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 1mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Maximale Verlustleistung Pd 146W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 20 V | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 100nC | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Länge 6.3mm | ||
Breite 1.1 mm | ||
Normen/Zulassungen RoHS, AEC-Q101 and PPAP Capable | ||
Höhe 5.3mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der on Semiconductor MOSFET für die Kfz-Versorgung in einem 5 x 6 mm flachen Kabelgehäuse, das für kompakte und effiziente Designs und einschließlich hoher Wärmeleistung entwickelt wurde. Es ist für verbesserte optische Inspektion erhältlich. AEC-Q101-fähiger MOSFET und PPAP-fähig, geeignet für Kfz-Anwendungen.
Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
Niedrige QG und Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
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