DiodesZetex DMN N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 900 mA 0.6 W, 3-Pin SOT-323

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RS Best.-Nr.:
222-2834
Herst. Teile-Nr.:
DMN2710UWQ-7
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

900mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

DMN

Gehäusegröße

SOT-323

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

450mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.6nC

Maximale Verlustleistung Pd

0.6W

Durchlassspannung Vf

1.2V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Source-spannung max Vgs

6V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

2.2mm

Breite

1.35mm

Höhe

1.1mm

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

AEC-Q101

Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Vollständig bleifrei und vollständig RoHS-konform

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