DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 900 mA 0.6 W, 3-Pin SOT-323
- RS Best.-Nr.:
- 222-2835
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2710UWQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
Abbildung stellvertretend für Produktreihe
Mengenrabatt verfügbar
Zwischensumme (1 Packung mit 50 Stück)*
CHF.7.35
Auf Lager
- 2’800 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
- Zusätzlich 1’250 Einheit(en) mit Versand ab 27. Februar 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Packung* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | CHF.0.147 | CHF.7.35 |
| 100 - 200 | CHF.0.074 | CHF.3.62 |
| 250 - 450 | CHF.0.074 | CHF.3.52 |
| 500 - 950 | CHF.0.063 | CHF.3.31 |
| 1000 + | CHF.0.063 | CHF.3.26 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 222-2835
- Herst. Teile-Nr.:
- DMN2710UWQ-7
- Marke:
- DiodesZetex
Technische Daten
Mehr Infos und technische Dokumente
Rechtliche Anforderungen
Produktdetails
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | DiodesZetex | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| kontinuierlicher Drainstrom max. Id | 900mA | |
| Drain-Source-Spannung Vds max. | 20V | |
| Serie | DMN | |
| Gehäusegröße | SOT-323 | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Drain-Source-Widerstand Rds max. | 450mΩ | |
| Channel-Modus | Erweiterung | |
| Durchlassspannung Vf | 1.2V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs | 0.6nC | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 0.6W | |
| Gate-Source-spannung max Vgs | 6 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Breite | 1.35 mm | |
| Höhe | 1.1mm | |
| Länge | 2.2mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | AEC-Q101 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke DiodesZetex | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
kontinuierlicher Drainstrom max. Id 900mA | ||
Drain-Source-Spannung Vds max. 20V | ||
Serie DMN | ||
Gehäusegröße SOT-323 | ||
Montageart Oberfläche | ||
Pinanzahl 3 | ||
Drain-Source-Widerstand Rds max. 450mΩ | ||
Channel-Modus Erweiterung | ||
Durchlassspannung Vf 1.2V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs 0.6nC | ||
Maximale Verlustleistung Pd 0.6W | ||
Gate-Source-spannung max Vgs 6 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Breite 1.35 mm | ||
Höhe 1.1mm | ||
Länge 2.2mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard AEC-Q101 | ||
Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.
Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand
Niedrige Eingangskapazität
Schnelle Schaltgeschwindigkeit
Vollständig bleifrei und vollständig RoHS-konform
Verwandte Links
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 900 mA 0.6 W, 3-Pin SOT-323
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1.3 A 0.45 W, 3-Pin SOT-323
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 1 A 900 mW, 3-Pin X2-DFN
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 3.8 A 1.8 W, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 4.2 A 800 mW, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 60 V / 2.9 A 1.3 W, 3-Pin SOT-23
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 15.4 A 1.8 W, 4-Pin SOT-223
- DiodesZetex DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 30 V / 5.8 A 720 mW, 3-Pin SOT-23
