DiodesZetex DMN N-Kanal, Oberfläche MOSFET Erweiterung 20 V / 900 mA 0.6 W, 3-Pin SOT-323

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222-2835
Herst. Teile-Nr.:
DMN2710UWQ-7
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Kabelkanaltyp

N

Produkt Typ

MOSFET

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

900mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

20V

Serie

DMN

Gehäusegröße

SOT-323

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

3

Drain-Source-Widerstand Rds max.

450mΩ

Channel-Modus

Erweiterung

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Gate-Source-spannung max Vgs

6V

Maximale Verlustleistung Pd

0.6W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.6nC

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

1.35mm

Normen/Zulassungen

No

Länge

2.2mm

Höhe

1.1mm

Automobilstandard

AEC-Q101

Der DiodesZetex N-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um den Betriebswiderstand (RDS(ON)) zu minimieren und gleichzeitig eine überlegene Schaltleistung beizubehalten, wodurch er sich ideal für hocheffiziente Stromüberwachungsanwendungen eignet.

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

Vollständig bleifrei und vollständig RoHS-konform

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