DiodesZetex Doppelt DMN Typ N-Kanal, Oberfläche MOSFET 30 V Erweiterung / 800 mA 0.35 W, 6-Pin US DMN3401LDWQ-7

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Herst. Teile-Nr.:
DMN3401LDWQ-7
Marke:
DiodesZetex
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Marke

DiodesZetex

Produkt Typ

MOSFET

Kabelkanaltyp

Typ N

kontinuierlicher Drainstrom max. Id

800mA

Drain-Source-Spannung Vds max.

30V

Gehäusegröße

US

Serie

DMN

Montageart

Oberfläche

Pinanzahl

6

Drain-Source-Widerstand Rds max.

0.4Ω

Channel-Modus

Erweiterung

Gate-Source-spannung max Vgs

20 V

Maximale Verlustleistung Pd

0.35W

Gate-Ladung typisch Qg @ Vgs

0.5nC

Betriebstemperatur min.

-55°C

Durchlassspannung Vf

1.2V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Transistor-Konfiguration

Doppelt

Normen/Zulassungen

RoHS

Automobilstandard

AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101

Der DiodesZetex Dual-n-Kanal-Anreicherungs-MOSFET wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen von Kfz-Anwendungen zu erfüllen. Es ist gemäß AEC-Q101 zugelassen und wird von einem PPAP unterstützt.

Zweifacher N-Kanal-MOSFET

Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand

Niedrige Eingangskapazität

Schnelle Schaltgeschwindigkeit

ESD-geschütztes Gate

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